西数、铠侠宣布218层闪存:抄袭中国长江?但我们有232层!

2023-03-3123:20:14来源: 快科技 评论 24,007

西数、铠侠宣布218层闪存:抄袭中国长江?但我们有232层!

西部数据、铠侠联合宣布了下一代3D NAND闪存的一些技术细节,这次堆叠到了218层。

新闪存包含四个平面(plane),应用了先进的晶圆键合(wafer bonding)、横向收缩(lateral shrink)技术,并在横向收缩、纵向收缩方面取得平衡,存储密度比上代提升超过50%,达到了1Tb(128GB)。

值得一提的是,西数、铠侠开发了新的CBA技术,也就是将CMOS直接键合在阵列之上(CMOS directly Bonded to Array),每个CMOS晶圆、单元阵列晶圆都使用最适合的技术工艺独立制造,再键合到一起,从而大大提升存储密度、I/O速度。

是的没错,妥妥的长江存储晶栈Xtacing 3.0技术的既视感。

根据官方数据,新闪存的NAND I/O接口传输速度达到3.2Gbps,比上代提升多达60%,同时在写入性能、读取延迟方面改善了20%,整体性能、可用性再上新台阶。

再加上工艺、架构方面的创新,成本方面也进一步优化。

闪存类型方面,TLC、QLC都可以。

不过,西数、铠侠并未透露218层新闪存何时商用,会首先用在哪些产品上。

西数、铠侠宣布218层闪存:抄袭中国长江?但我们有232层!

事实上,长江存储去年发布的晶栈3.0闪存就已经做到了232层,还有2400MT/s I/O速度,并应用于致态TiPlus7100 SSD系列,但因为你懂的原因没有公开宣传。

去年7月份,美光第一家公开了232层闪存,但受市场需求疲软影响,官方称暂时不会商用。

随后,SK海力士宣布了238层堆叠,三星一般认为做到了236层。

现在看来,NAND闪存这一轮的竞争,西数、铠侠不但速度最慢,反而还是最落后的了。

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长江存储232层闪存

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美光232层闪存

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