三星宣布量产最牛3D闪存:MLC颗粒好评

在3D闪存领域,三星已经连续推出两代立体堆叠闪存,分别有24层、32层,并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品。万万没想到的是,全球第一个48层堆叠、单Die容量256Gb的首发被东芝抢了去。不过三星也不是吃素的,今天宣布正式量产首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。没错,这是第三代了。

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从直观层面来讲,三星比东芝“良心”(忽视售价)表现在MLC颗粒以及量产能力上,毕竟东芝的说法是,我们已经准备好量产了,而三星在继续使用现有设备的情况下,三代的生产效率还提升了40%!

与容量为128Gb的传统NAND相比,三星此次量产的新一代256Gb 3D V-NAND闪存芯片密度实现翻倍增长。除了在单芯片上支持存储容量高达32GB(256Gb)之外,新的芯片还能轻松地翻倍提升现有SSD的存储容量,轻松TB级别,这可是三星的优势。

据悉,在新一代V-NAND闪存中,每个单元都采用相同的3D Charge Trap Flash(简称CTF)结构设计,每片芯片存储单元阵列垂直堆叠48层,利用其特殊的蚀刻技术,通过18亿个通道孔在阵列上实现电子互连。每个芯片共包含853亿个单元。单个存储单元容量为3bit,一共能存储2,560亿位的数据,换句话说,就是一个不超过手指尖大小的芯片能存储256Gb数据。

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与32层3bit MLC 128Gb V-NAND闪存相比,当存储相同容量的数据时,一个48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存功耗能减少30% 。

当然,消费级我们是见不到了,这都是企业、数据中心用的。

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