骁龙835官方新闻稿抢跑:10nm性能提升、能耗降低

高通这次的保密工作做得有点差,骁龙835定于CES开幕之初发布,1月6日做主题宣讲,结果关键PPT已经偷跑。现在,爆料大神evleaks甚至送上了高通关于骁龙835的官方新闻稿,再次确认了规格信息。

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综合指标上,骁龙835的性能比骁龙820/821提升了27%,能耗降低了40%。游戏和VR上,3D渲染速度比820快了25%,同时多支持60倍的屏幕显示色。

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电池续航:

骁龙835采用10nm工艺,自主Kryo 280八核心设计,可以提供1天以上的通话时间、5天以上的音乐播放、7小时以上的4K视频,配合QC4.0充电技术,充电5分钟,使用5小时。

沉浸式AR、VR:

D渲染速度比820快了25%,同时多支持60倍的屏幕显示色。

骁龙835支持场景和物理音源,支持解码DSD原片,动作位移延迟减少20%,6角度追踪。

拍照:

通过Hexagon 690 DSP、Spectra 180 ISP和Adreno 540 GPU的配合,拍照更清晰、对焦更迅速。

软件算法方面,高通推出了电子防抖3.0、高级4K视频防抖、滚动快门校正、双镜优化等。

连接性:

X16 LTE基带可以提供1Gbps的下载速度,支持802.11ad Wi-Fi,得益于10nm,基带模块封装面积缩小了45%,能效提升60%。

另外,骁龙835页在安全性、深度学习上做了改善加强,而且它还是首颗支持Win10桌面系统的ARM处理器,相关产品今年晚些时候会亮相。

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