三星已开始准备 iPhone 7s或装备UFS 2.0闪存

三星Galaxy S7的杀手锏功能之一就是超快速的通用闪存存储(UFS)技术,相比较部署在智能手机和其他电脑上的传统储存解决方案具备更高的传输速度,而这都归功于三星先进的V-NAND闪存芯片。援引韩媒ETNews报道,三星将会在不久的将来向苹果的iPhone供应NAND闪存,但是并不会装备在今年推出的iPhone 7设备上。

三星已开始准备 iPhone 7s或装备UFS 2.0闪存的照片
图片来自于 BGR

ETNews最新报道称三星目前主要精力集中在和多家厂商合作为芯片设计屏蔽框来杜绝电磁干扰(EMI),意味着开始为明年的iPhone闪存供应做准备,因此今年的iPhone 7并不会装备三星的NAND闪存。

其他储存提供商在未来同样也会为苹果提供具备防电磁干扰的NAND闪存,苹果供应链厂商之一的SK海力士(SK Hynix)也已经开始研发和三星相似的技术。今年推出的Galaxy S7,三星首次推出了256GB的UFS 2.0芯片,暗示有望部署在未来的iPhone和iPad型号中。

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