三星开发出第一个基于10nm FinFET工艺的SRAM

据韩国媒体报道,三星电子已经开发出了全球第一个基于10nm FinFET工艺的SRAM,而这是一种新工艺走向成熟的最关键一步。相比之下,Intel、台积电分别还停留在14nm、16nm。SRAM即静态随机存取存储器,比我们常见的DRAM(动态随机存取存储器)更快,常用于CPU缓存等,也是研发测试新工艺的必经前提步骤。

三星开发出第一个基于10nm FinFET工艺的SRAM的照片

三星在主板提交到ISSCC 2016国际固态电路大会(2016年1月31日开幕)的一篇论文中透露,三星10nm SRAM的容量为128MB,单元面积仅0.040平方微米,比起自家14nm SRAM(0.064平方微米)缩小了多达37.5%。

三星强调说,新工艺在尽可能小的面积里实现了大容量缓存,预计可大大缩小14nm手机处理器的面积,并提升性能。

一位业内人士评论说:“三星在全世界第一个、也是唯一一个宣布搞定了10nm SRAM。三星将以比Intel更快的速度量产10nm。”

由于制造成本的问题,Intel 10nm工艺已经推迟到2017年,而三星计划在2016年底实现10nm的商业化,正好赶上后年初的Galaxy S8。

台积电则宣布会在2016年底试产10nm,量产则要到2017年上半年。

另外,三星还开发了14nm工艺平面型NAND闪存,同样也是业界第一和唯一,浮动栅极面积可比16nm缩小大约12.5%。东芝、美光等在15/16nm之后,将放弃平面型闪存工艺。

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