惠普与SanDisk将合作推新型存储芯片 比现有闪存快1000倍

惠普(HP)和闪迪(SanDisk)公司目前正合作准备推出一种全新的存储芯片,据说会对计算机和其他设备乃至整个领域产生很大影响,帮助实现大跨步的迈进。这两家 公司是周四宣布合作的,并且宣称未来将推出的这种芯片比现有智能手机中所用的闪存快1000倍。而且未来还将以更低的成本取代目前广泛采用的DRAM内 存。

惠普与SanDisk将合作推新型存储芯片 比现有闪存快1000倍的照片

惠普和闪迪打算用这种最新的存储技术颠覆这一市场,这似乎是对Intel和美光(Micron)今年7月份发布的一种3D Xpoint技术的回应。

众所周知,计算设备采用DRAM和SRAM作为易失性存储器,它们的特点是成本相对更高,但数据传输速度更快,在断电的时候数据就会丢失。而对于长期存储,机械硬盘和闪存芯片是常规手段,在速度上更慢,但成本相对更低。

很多人都在梦想一种新的存储技术的出现,就是结合长期和短时存储这两者的优势,这样计算设备的使用体验就能更上一层楼。惠普首席技术官兼副总裁Martin Fink表示:“我们就是要让过去的技术崩溃,让这个世界变得更简单。”

这种被称为通用存储的技术应该算是目前惠普研究的一个重要方向,未来是有机会颠覆过去60年来形成的计算机领域的存储标准的。存储市场当前的主流发展趋势是闪存和DRAM通过缩减晶体管尺寸达成性能提升,这一模式达成的影响正在变小。

惠普与闪迪表示,他们的这次合作会用到两家企业单独研究的两种技术,惠普的的忆阻器和闪迪的RRAM,这两种技术都是利用改变电阻的材料。实际上惠普和闪迪并不是唯一两家在这么做的企业,初创企业Crossbar也在开发RRAM,还有Intel和美光目前公布的技术细节听起来跟其他企业所说的也比较类似。

Moor Insights & Strategy分析师Patrick Moorhead表示,这次的合作实际上“和美光与Intel所说的是同一个阵营”。惠普工程师将会帮助开发这项进技术,闪迪则会进行这种联合设计芯片的生产。除了存储芯片之外,这两家企业还计划在利用这种技术的系统上进行合作。闪迪执行副总裁Siva Sivaram表示:“这是一次长期合作。”

惠普和闪迪表示,他们不会将技术授权给其他企业,先前Intel和美光也表达了相同的战略,这跟传统的模式还是有很大差异的。Fink表示,这种芯片并非价格驱动的商品,“我们正转向基于价值的世界。”这项技术预计会在2018-2020年抵达市场,但并没有非常明确的时间表。

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